sic深加工

sic深加工是目前能够由直接热氧化工艺生长氧化层的化合物半导体,其器件工艺与现有的Si平面工艺兼容,因此成为制造高温高频高功率高压以及抗辐照器件的材料。目前国内外关于SiO_/SiC的研究多集中在界面态问题上,通过掺N氧化等方式,界面态问题已经得到很大程度的改进。

一些研究结果虽然也涉及到氧化层的疏松结构以及由此产生的耐压问题,但对于氧化层本身的研究仍局限于用SIMSXPS等手段检测氧化层中的杂质原子。本文利用慢正电子湮灭多普勒展宽谱和红外反射光谱等方法研究了SiO_/SiC热氧化层中的空位型缺陷和氧化层的致密性,以及退火前后的变化,并以SiO_/Si作为对比样品,说明C元素的存在及其诱生的空位型缺陷对SiO_/SiC氧化层质量和SiCMOS击穿特性造成的影响。该方法是借助射频聚焦式加热装置对运动中的钨丝进行加热，并利用了气相沉积法生成ＳｉＣ纤维的工艺过程：将石英管热反应器改造为由三个气密封隔离区，由射频电场加热的钨丝依次通过三个气相沉积区，Ⅰ区内实现ＳｉＣ沉积在钨丝表面形成ＳｉＣ纤维层，Ⅱ区内所设计内涂层组分沉积在ＳｉＣ纤维层的表面，Ⅲ区为所设计的外涂层组分沉积在ＳｉＣ纤维层内涂层表层。配套的专用装置主要是对射频聚焦式加热装置中石英管热反应器的改进，具体是石英管反应器中设置有双向密封的氩气密封堵，在该堵处靠前位置是反应后气体排除口，该堵靠后位置设反应的混合气体加入口及增设反应后气体排除口。

魏永芬项目简介：SIC碳化硅超精细微粉是一种国际上具有广泛用途的无机非金属新材料，该系列产品在日本韩国美国西欧等国家和地区具有广泛的市场。项目建设内容及规模：目前该项目已设计扩建条微粉生产线，厂房平方米，设备全部安装到位，具备了生产条件，年生产能力可达吨。市场分析：碳化硅超精细微粉是国际上具有广泛用途的无机非金属新材料，该产品在日本韩国西欧等国家和地区具有广泛市场。目前我国生产碳化硅微粉的厂家主要有：山东青州微粉有限公司年产微粉吨；吉林通化微粉有限公司年产微粉吨；河南平项山易成碳化硅有限公司年产碳化硅超精细微粉吨；我公司是牡丹江市可生产超精细微粉的厂家，但生产能力位居全国首位，年产微粉0吨。目前日本用于电子器件的抛光研磨年可需进口碳化硅粉万吨，韩国美国西德等国家年需进口碳化硅微粉万吨。目前与日本“润鸣株式会社”签定了年包销合同，与美国客商签定了年销售00吨的合同，市场销售前景十分可观。经济效益预测：该项目设计规模年产碳化硅超精细微粉吨，可实现产值万元，销售收入万元，利税万元，利润50万元。

目前,对SiC纳米粉体基本在有机溶剂中进行分散,但在水溶剂中的分散研究报道较少～,因此,本文采用了高剪切分散机进行高剪切力搅拌和调节pH值等实验工艺,对水溶剂中纳米SiC的分散性进行了研究,这对于解决SiC纳米粉体实际应用的团聚瓶颈问题尤为重要,是在完成粉体制备实现产业化进行粉体的深加工(如包覆等)所必须要面临和解决的技术难题。实验.实验材料及仪器设备实验材料激光制备SiC纳米粉体(粒径～nm)分散剂/A(市售,阴离子聚电解质型)等。实验设备包括Zetasizing电位粒度仪HW-型恒温磁力搅拌器CSF-A超声波发生器EA-实验室用分散乳化机JQF-砂磨分散多用机JEM-200透射电子显微镜PHB-式便携式pH计等。